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单晶硅片生产加工流程:

切断—外径滚磨—端面磨削、抛光—切片、倒角—研磨—腐蚀—抛光—清洗。

切断:目的是为了获得客户所要求的产品尺寸。主要使用硅片超薄切割片,可以有效节约材料。

外径磨削:由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大,通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。 

端面磨削:单晶硅捧四方切割后的端面粗糙,需要端面的磨削和抛光。我公司生产的硅片减薄砂轮生产效率高、精度高。(了解更多硅片减薄砂轮的信息)

切片:指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。主要使用硅片超薄切割片,可以有效节约材料。(了解更多硅片超薄切割片的信息)

倒角:指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形,防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。 

研磨:指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。 最常使用的设备是双端面研磨机,配套使用双端面磨盘,具有效率高、精度高、寿命长的优点。(了解更多双端面磨盘的信息)

腐蚀:指经切片及研磨等机械加工后,晶片表面受加工应力而形成的损伤层,通常采用化学腐蚀去除。

腐蚀的方式:

(A)酸性腐蚀,是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸(HNO3),氢氟酸(HF),及一些缓冲酸(CH3COCH,H3PO4)组成。 

(B)碱性腐蚀,碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。 

抛光:指单晶硅片表面需要改善微缺陷,从而获得高平坦度晶片的抛光。

清洗:在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗,这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。 

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